Курсовая работа по Технологии изготовления интегральных микросхем БГУИР

Скачать Курсовую работу по Технологии изготовления интегральных микросхем БГУИР

Введение
Воздействие фотонов, электронов и ионов на твердые тела порождает в них физико-химические процессы, эффективность проявления которых зависит от свойств облучаемого материала и определяется такими основными параметрами воздействующего излучения, как энергия, масса, заряд составляющих его частиц, интенсивность потока.
Отличаясь значительно по собственным характеристикам и производимым эффектам, фотоны, электроны и ионы во взаимодействии с твердыми телами характеризуются некоторыми общими закономерностями. В диапазоне низких и средних энергий торможение этих частиц происходит преимущественно в приповерхностной области облучаемого образца и при определенной интенсивности воздействия доминирующим становится тепловой эффект. Причем для ионов как для наиболее тяжелых частиц энергетический диапазон, соответствующий условию приповерхностного выделения энергии, простирается от десятков эВ до сотен МэВ. Для более легких электронов и фотонов, обладающих большей проникающей способностью, названному критерию удовлетворяют электроны с энергией от десятков до сотен эВ, а также фотоны спектрального диапазона от УФ до ИК области.
Учет распределения температуры по пластине очень важен, так как при изменении её на 50 градусов химические процессы могут изменить свою скорость в 10-100 раз, и часть пластины соответственно может не соответствовать режимам техпроцесса.
 Заключение
В настоящее время проектирование процесса производства интегральных схем невозможно представить без автоматизации, поэтому практически все процессы рассчитываются с помощью ПК. Конкретная программа была разработана на языке Delphi.
При создании программы был рассмотрен и изучен процесс позволяющий моделировать распределения температуры по толщине пластины кремния, нагреваемой в режиме теплового потока.
При вводе в диалоговом окне толщины и диаметра пластины, мощности и времени. С помощью преобразования уравнений, функций таких как функция Бесселя, выражение для оценки максимальной t и времени достижения t, уравнения теплопроводности выводится график зависимости изменения температуры по глубине пластины кремния нагреваемой импульсами излучения.