Учреждение
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Тип файла
Дипломная работа
Тема
Влияние радиационных эффектов на характеристики МОП/КНИ транзисторов
Учебный год
2016
Оцени файл:
Голосов: 0
-50% down Вверх 50%
Скачать: Файл доступен зарегистрированным пользователям, которые поделились своей работой с другими участниками!
Регистрация
за 60 секунд



Скачать Дипломную работу по Радиационным эффектам в твердых телах Влияние радиационных эффектов БГУИР

Введение
Проникающая радиация в настоящее время широко используется в различных областях науки и техники. Длительные полеты космических аппаратов, работа оборудования в радиационных полях ядерных установок (атомные электростанции, подводные и надводные корабли с ядерными реакторами), необходимость контроля и управления современной измерительной техникой предъявляют серьезные требования к радиоэлектронной аппаратуре, используемой на указанных объектах. Наиболее уязвимыми составляющими аппаратуры к воздействию проникающей радиации являются изделия полупроводниковой электроники, без которой немыслимо создание современных радиоэлектронных средств обеспечения работоспособности указанной техники. Поэтому вопросы, связанные с воздействием радиации на полупроводниковые транзисторы являются весьма актуальными.
К настоящему времени достигнуты значительные успехи в области как экспериментальных исследований, так и развития теоретических представлений о воздействии проникающих излучений на МОП/КНИ-транзисторы.
Применение технологии «кремний на изоляторе» (КНИ) перспективно для производства МОП БИС и СБИС с повышенной радиационной стойкостью, особенно к импульсной радиации. Наличие диэлектрической изоляции и уменьшение размеров активных областей МОП-транзисторов способствует снижению токов утечки в транзисторах и позволяет избавиться от тиристорного эффекта при высоких интенсивностях ионизирующих излучений.