Диплом Моделирование структур на эффекте квантовой интерференции

Скачать диплом на тему Моделирование структур на эффекте квантовой интерференции БГУИР
Записка полная, есть все расчеты, графики, рисунки.
Графическая часть отсутствует (чертежей нет).
В архиве найдете: записку, аннотацию, отзыв, титульный и доклад!

Работа 2005 года, но для технических дипломов это не время. Тем более это делает ее уникальной в своем роде!

Руководитель: профессор, д. ф.-м. н.  И.И. Абрамов

СОДЕРЖАНИЕ
 
Введение
1. Приборы наноэлектроники на квантовых проволоках
1.1. Квантовые проволоки и приборы на их основе
1.2. Механизмы электрической неустойчивости в квантовых проволоках
2. Модели приборов на квантовых проволоках
2.1.Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на различных материалах
2.2.Использование функции Вигнера для квантового переноса в моделировании приборов
3. Моделирование приборов на квантовых проволоках
3.1. Сток-затворные и стоковые характеристики GaAs интерференционного Т-транзистора
3.2. Моделирование квантовых проволок на различных материалах с учетом рассеяния
4. Технико-экономическое обоснование
4.1. Разработка топологии сетевого графика
4.2. Построение сетевого графика и расчет его параметров
4.3. Расчет параметров работ сетевого графика
4.4. Составление календарного графика загрузки исполнителей
4.5. Определение плановой себестоимости и отпускной цены на НИР и ОКР
5. Охрана труда и экологическая безопасность
5.1. Разработка эргономических требование к организации рабочих мест и их влияние на работоспособность инженера при компьютерном моделировании
Заключение
Список литературы

ВВЕДЕНИЕ
 
Последние десять лет во всех крупных центрах микроэлектроники в мире интенсивно ведутся работы по созданию электронных приборов с активными областями субмикронных и нанометровых размеров. Создание технологий, позволяющих осуществлять массовое производство подобных приборов и схем на их основе будет означать новый качественный этап в развитии электроники. Исследования приборных структур, функционирующим на основе эффектов одноэлектронного и резонансного туннелирование, квантовой интерференции, уделяется в настоящее время приоритетное внимание в ведущих американских, японских и европейских фирмах (IBM, Hitachi, Toshiba и др.). Интенсивное развитие качественно новых методов нанотехнологии в электроники уже позволило создать реальные структуры: одноэлектронные транзисторы, ячейки памяти, модуляторы, резонансно-тунельные диоды и транзисторы, а также традиционные элементы ИС с включением наноэлектронных структур. В связи с этим актуальным является создание адекватных моделей и проведение с их помощью вычислительных экспериментов.
Квантовые проволоки начинают в настоящее время интенсивно использоваться как в составе функционально-интегрированных элементов, так и в качестве активных областей в целом ряде наноэлектронных приборов (квантовые интерференционные транзисторы, резонансно-тунельные приборы на основе квантовых проволок, релаксационные диоды и транзисторы, одноэлектронные структуры). Такое внимание к квантовым проводам вызвано рядом уникальных характеристик, благодаря которым они могут найти широкое применение в качестве элементной базы квантовых интегральных схем (КИС).
Повышенный интерес к ним обусловлен, прежде всего, высокой подвижностью электронов в них, а также хорошей совместимостью технологического процесса их изготовления с хорошо отработанными процессами изготовления микроэлектронных приборов. Для анализа транспортных явлений в квантовых проволоках необходимо разработать адекватную физическую модель (ФМ). Особо актуально стоит вопрос о разработке модели, учитывающей паразитные явления, нарушающие баллистичность транспорта носителей заряда, такие как процессы рассеяния, протекающие по различным механизмам, нарушающие когерентность электронного транспорта в квантовых проволоках и деструктивно влияющие на эффект квантовой интерференции.
Перспективными для создания разнообразных наноэлектронных приборов являются квантовые проволоки. Достаточно отметить, что в настоящее время уже изготовлены высокочувствительные датчики, а также первые интегральные схемы на их основе. К сожалению, серьезную проблему представляет исследование физики процессов, протекающих в таких приборных структурах, с помощью моделирования.
В данном дипломном проекте мы будем рассматривать: что такое квантовая проволока и где она применяется, эффект квантовой интерференции, какие существуют приборы и модели на различных материалах в квантовой интерференции, а также метод функции Вигнера. По результатам проведенных исследований сделано три доклада на научно-технических конференциях и опубликовано две статьи.