вместе учиться легче
copyright
Любая перепечатка (копирование) материалов с ресурса на другие ресурсы запрещена без одобрения администрацией сайта!
Вся информация ресурса носит ознакомительный характер. Материалы используются по своему усмотрению на свой страх и риск. Администрация сайта не несет ответственности за содержимое и актуальность предоставленных работ.
Информация по преподавателям собрана из открытых источников сети интернет и находится в общем доступе на других ресурсах. Отзывы по преподавателям являются исключительно выдумкой (мнением) авторов и ни в коем случае не может быть расценена как официальное заявление. Фотографии и другие материалы взяты также из открытых источников без упоминания обременениях их использования авторскими правами. Если Вы автор фотографии или иного графического материала и решили, что ваш материал не может быть размещен на другом ресурсе - напишите нам, мы удалим такие материалы.
Powered by myHead (C) 2014-2019
Счетчики
Сейчас на сайте
0
5
Самые богатые в РАЮ
- sova5sova : 4 771 Нат
- Kamazist54115 : 889 Нат
- HERO : 556 Нат
- мартышка 777 : 547 Нат
- YaMaks : 530 Нат
- Серега : 405 Нат
- zoya : 380 Нат
- Andrei : 358 Нат
- Stas01 : 356 Нат
- Ася мороз : 340 Нат
Новые пользователи
|
bova
БГУИР 23.04.2024
 |
Alexdin
БГУ 22.04.2024
|
HumanZew
ИБиМТ БГУ 21.04.2024
|
|
Robertfep
ИБиМТ БГУ 20.04.2024
|
LarryFab
ИБиМТ БГУ 20.04.2024
|
DavidVub
ИБиМТ БГУ 19.04.2024
|
Цель работы:
Изучить структуру, принцип действия полевых транзисторов, а также область их применения.
Экспериментально исследовать статические характеристики и определить дифференциальные параметры полевых транзисторов.