оценить файл можно на странице файла
 

Курсовая
ПодробнееСкачать Курсовую работу по Полупроводниковым приборам и элементам интегральных схем БГУИР

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ. 3
1 Подпороговые характеристики
2 Механизм пробоя
3 Основные достоинства и недостатки КНИ МОП транзистора
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Список использованной литературы.
ПРИЛОЖЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ
Технология «кремний-на-изоляторе» (КНИ МОПТ, международный термин «Silicon-on-Insulator», SOI MOSFET) рассматривается как естественная преемница объемной технологии. Считается, что последовательное развитие технологии КНИ должно привести к достижению предельных характеристик кремниевых КМОП схем.
Исторически МОП...
БГУИР: Курсовая по Полупроводниковым приборам и элементам интегральных схем БГУИР
Голосов: 0
-50% down Вверх 50%