оценить файл можно на странице файла
|
ПодробнееСкачать Курсовую работу по Полупроводниковым приборам и элементам интегральных схем БГУИР СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ. 3 1 Подпороговые характеристики 2 Механизм пробоя 3 Основные достоинства и недостатки КНИ МОП транзистора ЗАКЛЮЧЕНИЕ Список использованной литературы. ПРИЛОЖЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ Технология «кремний-на-изоляторе» (КНИ МОПТ, международный термин «Silicon-on-Insulator», SOI MOSFET) рассматривается как естественная преемница объемной технологии. Считается, что последовательное развитие технологии КНИ должно привести к достижению предельных характеристик кремниевых КМОП схем. Исторически МОП...БГУИР: Курсовая по Полупроводниковым приборам и элементам интегральных схем БГУИР |
