оценить файл можно на странице файла
|
ПодробнееСкачать Контрольную работу Основам радиоэлектроники МГВРК Задание № 1 По характеристике туннельного диода (номер рис. приведен в таблице) определить пиковый ток Iп и ток впадины Iвп, отношение токов Iп/ Iвп напряжение пика Uп, дифференциальное сопротивление диода Rд. Задание №2 Составить схему усилительного каскада на биполярном транзисторе и выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада. Задание № 3 По условному графическому обозначению полевого транзистора для своего варианта определить тип транзистора, описать его структуру, принцип работы, привести ВАХ, основные параметры.МГВРК: Контрольная работа Основам радиоэлектроники МГВРК |
|
|
ПодробнееСкачать Контрольную работу по Основам радиоэлектроники БГУИР 1.Энергетическая диаграмма собственного полупроводника. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость.(4) 2.Классификация и параметры операционных усилителей(ОУ) Применение ОУ. Задача №2 Удельное сопротивление ρ кремния и германия заданы в вариантах задачи. Подвижности электронов и дырок равны, для Siμn=0,14 и μр=0.05 м2 /Вс, для Geμn= 0,39 и μр =0,19 м2/Вс. Определитьконцентрацию собственных носителей заряда niиpi. ИИТ БГУИР: Контрольная работа по Основам радиоэлектроники БГУИР |
